RAM - SIMM - DIMM...




Đây là từ chung chỉ bộ nhớ hay "không gian làm việc" (workspace) của máy tính. Từ "ngẫu nhiên" (random) ở đây muốn nói đến khả năng truy cập trực tiếp đến nội dung chứa trong các ô nhớ mà không cần "tham khảo" hoặc "quan tâm" đến các ô nhớ phía trước hoặc phía sau các ô nhớ chứa dữ liệu đó.





RAM (Random Access Memory) - Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên: Đây là từ chung chỉ bộ nhớ hay "không gian làm việc" (workspace) của máy tính. Từ "ngẫu nhiên" (random) ở đây muốn nói đến khả năng truy cập trực tiếp đến nội dung chứa trong các ô nhớ mà không cần "tham khảo" hoặc "quan tâm" đến các ô nhớ phía trước hoặc phía sau các ô nhớ chứa dữ liệu đó. Đây là điểm khác biệt chính so với khái nhiệm "truy cập tuần tự" (sequential access) trong các thiết bị băng từ. Trong băng từ, muốn truy cập đến phần thông tin được lưu giữ ở phần giữa băng, ta phải cho băng cuộn tuần tự từ đầu đến trước phần chứa thông tin mới truy cập được. Đặc tính truy cập ngẫu nhiên cũng đúng đối với các công nghệ bộ nhớ khác như ROM (read only memory - Bộ nhớ chỉ đọc), PROM (Programmable Read Only Memory - Bộ nhớ chỉ đọc cho phép lập trình ghi lại được) là các bộ nhớ có thể lưu trữ dữ liệu ngay cả khi cúp điện.
VRAM (Video RAM): Là loại bộ nhớ có hai cổng dữ liệu (dual-ported) thường được thiết kế trên card xử lý hình ảnh hoặc đồ họa. Một cổng được hướng ra màn hình để làm tươi và cập nhật hình ảnh. Cổng thứ hai được "nối" với CPU hoặc bộ điều khiển đồ họa nhằm thay đổi dữ liệu hình ảnh trong bộ nhớ.
DRAM (Dynamic RAM) - Là loại RAM "động": Nó sử dụng một mạch bán dẫn và một tụ điện (transistor và capacitor) để thể hiện một 1-bit dữ liệu. Các tụ điện cần phải được nạp điện (thường được gọi là làm tươi - refresh) hàng trăm lần mỗi giây để bảo đảm toàn dữ liệu. Khi mất điện thì toàn bộ nội dung lưu trong DRAM mất hết. DRAM là loại RAM được sử dụng rộng rãi nhất trong các thế hệ máy tính.
EDRAM (Enhanced DRAM): Là một loại DRAM được phát triển bởi hãng Enhanced Memory Systems Inc. Đây là một loại DRAM có bao gồm một phần nhỏ SRAM (Bộ nhớ tĩnh - Static RAM).
EDO RAM (Extended Data Out RAM): Một loại DRAM làm tăng cường khả năng hoạt động của bộ nhớ FPM (Fast Page Mode). EDO loại trừ các trạng thái chờ (wait states) bằng cách giữ cho bộ đệm kết xuất (output buffer) trong tình trạng kích hoạt (ative) cho tới chu kỳ xử lý tiếp theo. BEDO (Burst EDO) là một loại EDO rất nhanh có thể đạt tốc độ cao bằng cách sử dụng một bộ đếm địa chỉ (address counter) cho các địa chỉ kế tiếp và một giai đoạn lồng ống (pipeline stage) để cho phép thực hiện các tác vụ xen kẽ (overlapping operations).
SRAM (Static RAM) - Là loại RAM "tĩnh": SRAM cũng cần có điện để lưu trữ và bảo toàn dữ liệu, SRAM có số lần nạp điện nhiều hơn và không đòi hỏi phải "làm tươi" lại mạch (refesh circuitry) như DRAM. Tuy nhiên SRAM thường cồng kềnh và tiêu thụ nhiều năng lượng hơn DRAM.
SDRAM (Synchronous DRAM) - DRAM đồng bộ: SDRAM được thiết kế dựa trên các chíp DRAM chuẩn nhưng có thêm các đặc tính phức tạp và tinh vi khiến SDRAM trở nên nhanh hơn rất nhiều so với DRAM thường. Thứ nhất, các chip SDRAM được chế tạo đủ nhanh để có thể đồng bộ hóa với xung nhịp của CPU, loại bỏ được các trạng thái chờ (wait states). Thứ hai, các chip SDRAM được chia thành hai "khoang" riêng biệt, nên dữ liệu cần xử lý có thể được sắp xếp thứ tự hơn: khi một bit ở khoang này đang được xử lý, thì 1-bit khác ở khoang kia ở trạng thái chuẩn bị...cứ như thể SDRAM có thể đẩy nhanh tiến độ xử lý các ký tự liên tiếp nhau rút ngắn chỉ còn 10ns (nano second) so với thời gian 60ns để xử lý ký tự đầu tiên. SDRAM cung cấp tốc độ chuyển dữ liệu lên đến 800Mbps hoặc 1 Gbps tùy thuộc vào kênh truyền là 100Mhz hoặc 133Mhz. SDRAM sử dụng hệ thống tiếp xúc (với Mainboard) có 168 điểm tiếp xúc (168-pin). Xem hình SDRAM:



 
  
ESDRAM (Enhanced SDRAM): Một loại SDRAM được phát triển bởi hãng Enhanced Memory Systems Inc. ESDRAM thay thế các loại SRAM đắt tiền trong các hệ thống thiết bị